категорий и товары
Поверхностные лазеры с вертикальной кавитикой
Чип VCSEL
795 нм лазер с вертикальной точкой (0,1MW@50℃)
795 нм лазер с вертикальной точкой (0,1MW@60℃)
795 нм лазер с вертикальной точкой (0,1MW@70℃)
795 нм лазер с вертикальной точкой (0,1MW@80℃)
795 нм лазер с вертикальной точкой (0,1MW@85℃)
795 нм лазер с вертикальной точкой (0,5MW@70℃)
795 нм лазер с вертикальной точкой (0,5MW@80℃)
795 нм лазер с вертикальной точкой (0,5MW@85℃)
795 нм 1 МВт вертикальная поверхностная лазер
795 нм 3 МВт вертикально-эфира
895 нм лазер с поверхностной эмиссией (0,1 мВт@70℃)
895 нм лазер с вертикальной точкой (0,1MW@80℃)
895 нм лазер с вертикальной точкой (0,1MW@85℃)
895 нм лазер с поверхностной поверхностью (1 МВт@50 ℃)
895 нм лазер с поверхностной поверхностью (1 МВт@60 ℃)
VCSEL Light Source
795 нм лазер с вертикальной поверхностью в банке
795 нм высокая мощность в одиночном режиме VCSEL в TO-CAN-TEC
850 нм высокая мощность в одиночном режиме VCSEL в TO-CAN
795 Лазер с вертикальной поверхностью в CAN 50 ℃
795 Лазер с вертикальной ковитией в банке 60 ℃
795 Лазер с вертикальной поверхностью в банке 70 ℃
795 Лазер с вертикальной ковитией в банке 80 ℃
795 Лазер с вертикальной мощностью в банке 90 ℃
795 Лазер с вертикальной поверхностью в CAN 25DB
795 Лазер с вертикальной поверхностью в банке> 1 МВт
795 Лазер с вертикальной поверхностью в CAN 1MA
795 Лазер с вертикальной мощностью в банке 1-60 ℃
795 Лазер с вертикальной поверхностью в CAN TEC
795 Лазер с вертикальной ковитией в Can 1-TEC
795 Лазер с вертикальной поверхностью в банке 1 МВт
795 лазер с вертикальной поверхностью в тотеке может
808 Лазер с вертикальной точки зрения на Can 0.1@50
Модуль VCSEL
795 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали 0,1@50℃
795 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали 0,1@60℃
795 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали 0,1@70℃
795 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали 0,1@80℃
795 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали 0,1@85℃
795 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали 0,5@70℃
795 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали 0,5@80℃
795 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали 0,5@85℃
795 нм 1 МВт вертикальный модуль поверхности
795 нм 3 МВт вертикальный модуль поверхности
895 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали 0,1@70℃
895 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали 0,1@80℃
895 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали 0,1@85℃
895 нм лазерный модуль поверхностной поверхности 1@50 ℃
895 нм лазерный модуль поверхностной поверхности 1@60 ℃
895 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали (1 МВт@70 ℃)
895 Лазерный модуль с излучанием поверхности вертикали (1 МВт@80 ℃)
Vcsel обнаженные чипсы
780 лазер с вертикальной поверхностью, полученные на поверхности, 50 ℃
780 лазер с вертикальной поверхностью, полученные на поверхности, 60 ℃
780 лазер с поверхностной поверхностью.
780 Лазер с вертикальной ковитикой, полученные из поверхностных чипсов 0,5-50
780 лазер с вертикальной ковитикой, полученные из поверхностных чипсов 0,5-60
780 лазер с вертикальной ковитикой лазер голые чипы 0,5-70
795 Лазер с вертикальной ковитикой лазер голые чипы 0,1-50
795 Лазер с вертикальной ковитикой, полученные из поверхностных чипсов 0,1-60
795 Лазер с вертикальной ковитикой лазер голые чипы 0,1-70
795 Лазер с вертикальной ковитикой лазер голые чипы 0,1-80
795 Лазер с вертикальной ковитикой лазер голые чипы 0,1-85
795 Лазер с вертикальной ковитикой лазер голые чипы 0,5-50
795 Лазер с вертикальной ковитикой, полученные из поверхностных чипов 0,5-60
795 лазер с вертикальной ковитикой, полученные из поверхностных чипсов 0,5-70
795 Лазер с вертикальной ковитикой лазер голые чипы 1-50
795 Лазер с вертикальной поверхностью лазер с голой чипы 3-50
852 Лазер с вертикальной поверхностью, излучающие поверхность, 0,1-50
852 Лазер с вертикальной поверхностью, излучающий поверхность, 0,1-60
852 Лазер с вертикальной поверхностью, излучающие поверхность, 0,1-70
852 Лазер с вертикальной поверхностью, излучающие поверхность, 0,1-80
Вертикальная поверхностная поверхность лазеры
Vecsel Gain Chip
710 нм вертикально-экологически чип
808 нм вертикальная поверхностная поверхность
850 нм с вертикальной поверхностной поверхностной лазерной усилием чип 2W
880 нм с вертикальной поверхностной поверхностной поверхностью
905 нм вертикальная поверхностная поверхность
920 нм с вертикальной поверхностной поверхностной поверхностью
960 нм с вертикальной поверхностной поверхностной поверхностью
1028 нм вертикальная поверхностная поверхность
1064-нм вертикальная поверхностная поверхность
1122NM вертикальная поверхностная поверхность
1154-нм вертикальная поверхностная поверхность
1180 нм с вертикальной поверхностной поверхностной поверхностью
1278 нм вертикальная поверхностная поверхность
1310 нм вертикальная поверхностная поверхность
710 нм с вертикальной поверхностной поверхностной поверхностью
710 нм с вертикальной поверхностной поверхностной поверхностью
808 нм вертикальная поверхностная поверхность
808 нм вертикальная поверхностная поверхность
850 нм с вертикальной поверхностной поверхностной лазерной усилием чип 5W
850 нм с вертикальной поверхностной поверхностной лазерной усилием чип 10 Вт
Экспериментальная система Vecsel
Vecsel Dual Wavel Length System-2W
VCSEL Внешняя полость Система 15W
Система преобразования частоты VCSEL-5W
Система тестирования чипов VCSEL 10 В
Vcsel Long Air Capity System-5W
Vecsel Dual Wavel Length System-1W
Vecsel Dual Wavel Length System-1.5W
Внешняя полость Vecsel System-10W
Внешняя полость Vecsel System-5W
Система преобразования частоты VECSEL-3W
Система преобразования частоты VECSEL-1W
Vecsel Long Air Capity System-3W2M
Модуль VECSEL
355 нм лазерный модуль поверхностного излучающегося поверхности 0,2 Вт
460 нм лазерный модуль поверхностного излучающего
480 нм лазерный модуль поверхностного излучающего
514 нм лазерный модуль поверхностной поверхности.
532 нм лазерный модуль поверхностного инициатива вертикали 0,5 Вт
561 нм лазерный модуль поверхностного инициатива вертикали 0,5 Вт
577 нм лазерный модуль поверхностной поверхности 0,5 Вт 0,5 Вт
590 нм лазерный модуль поверхностной поверхности 1 Вт
639 нм лазерный модуль поверхностной поверхности 0,5 Вт 0,5 Вт
920 нм лазерный модуль с вертикальным имитиром 10 Вт.
1064-нм лазерный модуль поверхностного излучающегося поверхности 10 Вт.
1120 нм лазерный модуль поверхностного излучающегося поверхности 8W
355-нм лазерный модуль поверхностного излучающего
355 нм вертикальная полость, излучающая лазерный модуль-2
460 нм вертикальная полость, излучающая лазерный модуль 4W
460 нм вертикальная полость, излучающая лазерный модуль 6W
480 нм вертикальная полость, излучающая лазерная модуль 5W
480 нм вертикальная полость, излучающая лазерный модуль 10 Вт.
Узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
Получить чип
1030-50-200 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1030-50-500 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1030-50-1000 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1064-50-200 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1030-100-500 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1030-100-1000 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1064-50-500 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1064-50-1000 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1030-100-200 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1064-100-200 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1064-100-500 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1064-100-1000 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1080-50-200 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1080-50-500 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1080-100-1000 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1080-100-200 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1080-100-500 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
1080-50-1000 узкая ширина линейки полупроводниковые лазеры
Модуль NLW-ECL (PM Fiber)
1030-50-200 вечера полупроводниковые лазерные модули
1030-50-500 вечера полупроводниковые лазерные модули
1030-100-200 вечера полупроводниковые лазерные модули
1030-100-500 вечера полупроводниковые лазерные модули
1064-50-200 вечера полупроводниковые лазерные модули
1064-50-500 вечера полупроводниковые лазерные модули
1064-100-200 вечера полупроводниковые лазерные модули
1064-100-500 вечера полупроводниковые лазерные модули
1080-50-200 вечера полупроводниковые лазерные модули
1080-50-500 вечера полупроводниковые лазерные модули
1080-100-200 вечера полупроводниковые лазерные модули
NLW-ECL PM Fiber
1030-50-200 45db полупроводниковые лазеры
1030-50-500 45 дБ полупроводниковые лазеры
1030-50-1000 45 дБ полупроводниковые лазеры
1030-100-200 45db полупроводниковые лазеры
1030-100-500 45 дБ полупроводниковые лазеры
1030-100-1000 45 дБ полупроводниковые лазеры
1064-50-200 45db полупроводниковые лазеры
1064-50-500 45db полупроводниковые лазеры
1064-50-1000 45 дБ полупроводниковые лазеры
1064-100-200 45 дБ полупроводниковые лазеры
1064-100-500 45db полупроводниковые лазеры
1064-100-1000 45db полупроводниковые лазеры
1080-50-200 45db полупроводниковые лазеры
1080-50-500 45 дБ полупроводниковые лазеры
1080-50-1000 45 дБ полупроводниковые лазеры
1080-100-200 45db полупроводниковые лазеры
1080-100-500 45db полупроводниковые лазеры
1080-100-1000 45db полупроводниковые лазеры
NLW-ECL SM Fiber
1030-50-200 SM Semiconductor Lasers
1030-50-500 SM Semiconductor Lasers
1030-50-1000 SM полупроводниковые лазеры
1030-100-200 SM Semiconductor Lasers
1030-100-500 SM Semiconductor Lasers
1030-100-1000 SM полупроводниковые лазеры
1064-50-200 SM Semiconductor Lasers
1064-50-500 SM Semiconductor Lasers
1064-50-1000 SM полупроводниковые лазеры
1064-100-200 SM Semiconductor Lasers
1064-100-500 SM Semiconductor Lasers
1064-100-1000 SM Semiconductor Lasers
1080-50-500 SM Semiconductor Lasers
1080-50-1000 SM Semiconductor Lasers
1080-100-200 SM Semiconductor Lasers
1080-100-500 SM Semiconductor Lasers
1080-100-1000 SM Semiconductor Lasers
1550-10-10 SM Semiconductor Lasers
Модуль NLW-ECL (SM Fiber)
1030-50-200 SM Semiconductor Lasers Modules
1030-50-500 SM Semiconductor Lasers Modules
1030-50-1000 SM полупроводниковые лазерные модули
1030-100-200 SM Semiconductor Lasers Modules
1030-100-500 SM Semiconductor Lasers Modules
1030-100-1000 SM Semiconductor Lasers Modules
1064-50-200 SM Semiconductor Lasers Modules
1064-50-500 SM Semiconductor Lasers Modules
1064-50-1000 SM Semiconductor Lasers Modules
1064-100-200 SM Semiconductor Lasers Modules
1064-100-500 SM Semiconductor Lasers Modules
1064-100-1000 SM Semiconductor Lasers Modules
1080-50-200 SM Semiconductor Lasers Modules
1080-50-500 SM Semiconductor Lasers Modules
1080-50-1000 SM Semiconductor Lasers Modules
1080-100-200 SM Semiconductor Lasers Modules
1080-100-500 SM Semiconductor Lasers Modules
1080-100-1000 SM Semiconductor Lasers Modules
Настройка внешней полости лазер
Ультра-быстрое сканирование внешней полости Настройки Лазер
1050 нм Ультрастрастное сканирование внешней полости Настройки
1600 нм ультрастрастное сканирование внешней полости Настройки
4600 нм Ультрастрастное сканирование внешней полости Настройки LASE
9500 нм Ультрастрастное сканирование внешней полости Настройки LASE
Настройка внешней полости на основе решетки
405 нм-ориентированная настройка на основе решетки
Настройка внешней полости на основе решетки на основе решетки на основе решетки на основе решетки
460 нм-ориентированная настройка на основе решетки
635 нм-ориентированная настройка на основе решетки
670 нм-ориентированная настройка на основе решетки
705 нм-ориентированная настройка на основе решетки
730 нм-ориентированная настройка на основе решетки настройки
770 нм-ориентированная настройка на основе решетки
780 нм-ориентированная настройка на основе решетки
785 нм-ориентированная настройка на основе решетки
Настраиваемое лазер на основе решетки на основе решетки на основе решетки на основе решетки
Настраиваемое лазер на основе решетки на основе решетки на основе решетки на основе решетки
920 нм-ориентированная настройка на основе решетки настройки
960 нм-ориентированная настройка на основе решетки
1060 нм-ориентированная настройка на основе решетки
1220 нм-ориентированная настройка на основе решетки
1180 нм-ориентированная настройка на основе решетки
1340 нм-ориентированная настройка на основе решетки
1430 нм-ориентированная настройка на основе решетки настройки
